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英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

来源:http://www.hgfx0088.com编辑:漫展网_互联网资讯_科技资讯 人气: 发布时间:2019-06-22
摘要:之前,芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的尖端制造大会上,泰国女神正式向大家展示了藉由最新的10纳米制程技术所生产的晶圆,并且表示由10纳米制程技术所生产的CannonLake处理器将会在2017年年底之前开始量产。 只是,现在有消息透露,首批进入到市场的英特

  之前,芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“尖端制造大会”上,泰国女神正式向大家展示了藉由最新的10纳米制程技术所生产的晶圆,并且表示由10纳米制程技术所生产的CannonLake处理器将会在2017年年底之前开始量产。

  只是,现在有消息透露,首批进入到市场的英特尔10纳米制程技术产品,将不会是大家期待的CPU,而是目前市场价格高涨的NANDFlash快闪存储器。

  根据业界人士透露,英特尔计划在自家最新的64层3DNANDFlash快闪存储器上使用最新的10纳米制程技术。泰国女神至于为何在3DNANDFlash快闪存储器上首先使用新制程技社,很可能是因为NANDFlash快闪存储器的结构相对简单,基本上就是大量同类电晶体的堆积。

  相较之下,CPU处理器的架构就显得复杂多了。而就由使用新制程技术来生产,复杂性也是关系成功与否的重要风险之一,泰国女神而这也是英特尔在14纳米制程、10纳米制程上屡屡延后推出的一项主要因素。

  而依照英特尔的说法,10纳米制程技术使用了FinFET(鳍式场效应电晶体)、HyperScaling(超缩微)技术,可将电晶体密度提升2.7倍,结果自然可以大大缩小芯片面积,对NANDFlash快闪存储器的设计来说,当然就能极大地提升容量。

  不过,目前还不清楚英特尔的10纳米制程NANDFlash快闪存储器的具体生产情况为何,但是可以确认的是,未来该批产品将会首先运用于资料中心的市场,等成本下降之后,再推广到消费等级市场领域。

标签:泰国女神(7)

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